新年新气象 专利创新高

       近日，厦门工研院又一项发明专利获国家知识产权局授权。此项专利名称为“一种半导体元件及其制备方法”，专利号为ZL202010131752.7。本发明公开了一种RRAM结构及其制造方法，能够有效降低RRAM存储区的高度，从而降低RRAM内部填充材料出现缝隙的风险。本发明获得授权，是公司技术创新的又一成果，为公司研发夯实了基础。

       厦门工研院自成立以来积极开展技术创新工作，重视人才培养和专利评审，不断完善知识产权管理体系和激励办法，推动专利量质齐升。截止目前，厦门工研院知识产权已实现四方面突破：第一，专利储备总数已突破百项，共计106项；第二，专利授权总数已突破三十项，共计35项；第三，境外专利授权获得突破，已布局22项，其中3项台湾发明专利已获授权；第四，自主开发的境内发明专利授权数已突破十项，共计13项。

        这些专利成果为厦门工研院今后的发展积蓄了前进的动力，进一步提升了研发成果的科技含量，提高了厦门工研院的核心竞争力。

        新的一年，厦门工研院将继续扎根技术创新，勇攀高峰。