厦门工研院携手新忆科技与清华大学，IEDM 2024展现RRAM创新实力

我院新闻 2024-12-17

近日，在2024年度国际电子器件会议（IEDM）这一半导体行业的顶级盛会上，厦门工研院的战略合作伙伴北京新忆科技有限公司（以下简称“新忆科技”）与清华大学共同发表了RRAM（阻变存储器）领域的最新研究进展。该研究成功实现了创纪录的千万次擦写寿命和125℃下超过10年的数据保持能力，将RRAM的可靠性指标提升到了一个新的高度。

RRAM技术取得重大突破

此次研发团队通过设计工艺协同优化（DTCO）的方式，从器件工艺、电路设计和操作算法等多个方面入手，历经长期的理论推敲和大量的实验验证，成功开发了一套完整的优化技术。这套技术使得RRAM在28nm工艺上展现出优异的可靠性，为后续在更广泛场景下的规模化应用奠定了坚实基础。

厦门工研院作为此次研究的重要参与方，在技术研发和实验验证过程中发挥了关键作用，完成了成熟可靠的28nm RRAM工艺线开发。

厦门工研院与新忆科技、清华大学紧密合作，共同攻克了一系列技术难题，推动了RRAM技术的快速发展。

RRAM技术的广泛应用前景

随着半导体工艺节点的不断演进，传统的eFlash方案在28nm以下工艺节点下成本和可靠性都面临极大的挑战，而RRAM则凭借其诸多优点，成为下一代嵌入式存储IP的理想选择之一，其器件尺寸可以微缩至10nm以下，打破了eFlash器件的微缩极限；同时，RRAM还具有低功耗、抗辐射、数据保持能力强等优点，非常适合应用在先进工艺的SOC以及IoT当中。

此次厦门工研院与新忆科技、清华大学合作研发的RRAM技术，不仅提升了器件的可靠性，还验证了其多比特存储能力。测试结果显示，在4bit操作模式下的16个电阻态可以保持良好的阻值均一性和优异的I-V线性度，这完全符合RRAM在未来存算一体和类脑计算等领域中的应用要求。

行业认可与未来展望

此次研究成果也得到了国际顶级期刊《Nature Electronics》的高度关注，该期刊将其作为非易失性存储器领域的亮点成果进行了专题报道，这不仅是对厦门工研院与新忆科技、清华大学合作团队研发实力的认可，也是对我们持续推动半导体技术创新的鼓励。

展望未来，厦门工研院将继续深耕半导体技术领域，加强与新忆科技、清华大学等知名企业和高校的合作，共同推动半导体技术的创新与发展。我们相信，在不久的将来，RRAM技术将广泛应用于各个领域，为人们的生活带来更多便利和惊喜。