研发方向:
研发基于28/22nm CMOS平台的新型阻变存储器（RRAM）制造工艺模块，并进一步开发基于RRAM的核心IP、嵌入式应用以及相关特色产品。
建立RRAM制造工艺模块
包括digital和analog behavior RRAM:
- 1. 优化存储单元的材料和器件结构，保证其具有优良的forming/set/reset和endurance及retention特性。
- 2. 将RRAM stack的制备工艺融入到28/22nm CMOS的BEOL制程当中，并优化整体制备工艺。
- 3. 通过优化选择管、阵列结构和加工工艺，压缩单元面积，提高存储密度
- 4. 优化外围电路结构和操作策略，优化高低阻值分布和tail bit特性，提高bit yield。
嵌入式RRAM方面
致力于以下四个方面的IP开发和应用:
- 1. 低功耗eRRAM macro及其在MCU、Smart Card等方面的应用。
- 2. nv-FF、nv-SRAM等核心IP的开发，及其在零待机功耗控制（normally off, instantly on）中的应用。
3. 基于RRAM的新型PUF、TRNG及其在信息安全SOC中的应用。- 4. 新型非挥发三态内容寻址存储器(nvTCAM)IP及其在内容查找、路由等领域中的应用。
主要致力于以下两类新技术：
- 1. 存算一体（CIM）AI芯片：
改变传统的冯诺依曼架构，把计算和存储节点融合，突破存储墙功耗墙瓶颈，开发高能效、高算力的新型CIM AI芯片。
- 2. 新型FPGA：
将RRAM运用到FPGA的switch block(SB)和look up table(LUT)中，开发新型RRAM enhanced FPGA。
基于RRAM的特色产品方面
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