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一站式全流程服务
每年组织2次Shuttle
4个月内完成Tape Out to Wafer Out:
制版约10天,流片约110天
支持28nm/22nm的所有
Device/Metal Option
CMOS 特性符合28nm/22nm标准
RRAM器件特性优于业界标准
操作原始Bits率>99.9%
Endurance>10万次
Retention>10年@125℃
可满足各种流片面积需求
最小流片面积3mm²
提供60颗裸die
CMOS+RRAM流片服务
RRAM简介
RRAM工艺模块
RRAM器件主要特性
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厦门半导体工业技术研发有限公司
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